解析高頻寬記憶體(HBM)：中國尋求美國放寬出口限制

中國正尋求美國放寬高頻寬記憶體(HBM)晶片的出口管制，希望將此納入雙方貿易協議的一部分。以下將深入探討HBM的重要性及其在全球科技競爭中的角色。高頻寬記憶體(HBM)是由多層堆疊的記憶體晶片組成的先進儲存元件。相較於傳統的動態隨機存取記憶體(DRAM)，HBM不僅擁有更大的儲存容量，還能以更快的速度傳輸資料。這種記憶體技術廣泛應用於顯示卡、高效能運算系統、資料中心和自動駕駛汽車，尤其對於生成式AI等人工智慧應用而言更是不可或缺。美國於2023年12月2日宣布最新的出口限制措施，這是拜登政府過去三年來第三輪針對先進晶片的限制，目的在阻止中國獲取可能促進其軍事技術發展的關鍵科技。作為回應，北京對製造半導體所需的鍺、鎵等關鍵材料實施了出口新限制。專家認為，這些限制措施可能會減緩中國AI晶片的發展進程，但充其量只能暫時延緩中國獲取HBM的步伐。HBM之所以如此重要，主要在於其卓越的儲存容量和資料傳輸速度。對於需要大量複雜運算的AI應用來說，這些特性能確保應用程式流暢運行，避免延遲或錯誤。晶片研究機構TechInsights副總裁赫奇森形象地比喻道：「這就像兩線道高速公路與百線道高速公路的差別，後者根本不會塞車。」目前全球HBM市場主要由三家公司主導。根據台北市場研究機構集邦科技的報告，截至2022年，韓國SK海力士占全球市場50%，三星占40%，美國美光科技占10%。2023年至2024年間，海力士與三星的市場份額合計仍維持在約95%，而美光科技則計劃在2025年將其市占率提升至20%至25%。HBM的製造過程可以想像成將多個標準記憶體晶片像漢堡一樣層層堆疊。雖然概念簡單，但實際製造極為複雜，這也反映在其價格上—HBM的單價是傳統記憶體晶片的數倍。HBM的厚度僅約相當於六根頭髮絲，每層記憶體晶片都必須極薄，且需要在晶片上鑽精確的孔洞以便電子導線穿過，這些都需要頂尖的先進封裝技術。中國目前在HBM生產能力上落後於韓國和美國的主要製造商，但正積極發展自身的