英特爾發表僅19微米「全球最薄」氮化鎵晶片 川普入股消息推動股價飆升逾200％

英特爾代工服務（IntelFoundry）近日宣布重大技術突破，成功研發出全球首款、同時也是目前最薄的氮化鎵（GaN）晶片，厚度僅有19微米，約為人類頭髮直徑的五分之一，不僅刷新半導體製程紀錄，更為高效能運算及次世代通訊應用開啟嶄新可能。與此同時，受惠於美國總統川普宣布政府投資英特爾的利多消息，該公司股價至今已飆漲超過200％。根據英特爾說明，旗下晶圓代工中心研究團隊以300毫米矽基氮化鎵晶圓為基礎，完成這項前所未見的GaN晶片技術展示。該團隊不僅將矽基底壓縮至僅19微米的極致厚度，更首度在單一製程中完整整合晶片上的數位控制電路，大幅簡化系統架構。這項成果已於2025年IEEE國際電子元件會議（IEDM）正式亮相，引發半導體產業高度關注。英特爾進一步指出，隨著傳統矽材料技術逐步逼近物理極限，氮化鎵已成為推動下一代半導體發展的關鍵替代材料。此次展示的整合式設計方案，能有效減少對額外晶片的依賴，同時降低訊號傳輸過程中的能量損耗。經過可靠性測試驗證，該技術已展現出商品化的潛力，未來無論是資料中心的節能運算需求，或是5G、6G基地台所需的射頻前端模組，都有望從中受益。在資本市場方面，英特爾的表現同樣令人矚目。自美國總統唐納．川普（DonaldTrump）於2025年8月22日宣布美國政府入股英特爾以來，該公司股價從約20美元區間一路強勁攀升，截至2026年4月9日收盤已站上61美元，累計漲幅超過200％，充分反映市場對英特爾技術實力與政策加持的雙重信心。