SK海力士力拼三星 傳HBM4E邏輯晶片將採台積電3奈米製程

根據韓國「朝鮮日報」旗下商業新聞網站ChosunBiz報導，韓國記憶體龍頭SK海力士正積極評估，將其第7代高頻寬記憶體（HBM）HBM4E中的邏輯裸晶片，交由台積電以3奈米製程生產，此舉被視為對抗主要競爭對手三星電子的重要策略布局。業界消息人士透露，SK海力士規劃在HBM4E中的「核心裸晶片」採用10奈米級第6代製程1c，而邏輯裸晶片則選用台積電的3奈米先進製程。相較之下，SK海力士今年供應給輝達的HBM4產品，核心晶片採用的是10奈米級第5代製程1b，邏輯晶片則使用台積電12奈米製程。儘管SK海力士憑藉拿下輝達HBM4最大宗訂單，穩坐該市場的領導地位，但業界傳出其HBM4在部分效能指標上不及三星電子。三星的HBM4核心晶片已率先導入1c製程，邏輯晶片更採用4奈米製程，在技術規格上佔有優勢。為扭轉這一局面，SK海力士顯然希望透過在HBM4E中導入台積電3奈米製程來大幅提升效能表現。若說HBM4以成熟製程主打產品穩定性，那麼HBM4E則是以先進製程強調極致效能，力圖在技術競賽中搶占制高點。隨著輝達、超微及Google等美國科技巨頭紛紛表態，其下一代人工智慧晶片將採用HBM4E，這場圍繞新一代高頻寬記憶體的競爭預料將更加白熱化，SK海力士與三星之間的角力也將進入全新階段。