中國科學家近期成功研發出極紫外光(EUV)微影設備原型機,標誌著中國在先進半導體製造領域取得了實質性進展。然而,彭博經濟研究(Bloomberg Economics)指出,從原型機到實際量產晶片之間仍存在巨大鴻溝,這一突破並不代表中國已加速縮小與國際領先廠商的技術差距。
據路透社調查發現,在深圳一座高度戒備的實驗室內,由前荷蘭艾司摩爾(ASML)工程師組成的團隊通過逆向工程,成功打造出一台EUV原型機。這台於2025年初完成的設備目前正在測試階段,雖然已能成功產生極紫外光並正常運作,但尚未能製造出可用的晶片。
彭博經濟研究強調,ASML從最初原型機到實現商業化生產花費了近20年時間。中國的原型機雖然標誌著其半導體自給自足計畫的重要里程碑,但關鍵技術指標如光源功率、正常運轉時間及產出效率等資訊尚未公開,仍處於實驗室成果階段。
更值得注意的是,這台原型機部分零組件仍依賴通過灰色市場從國外取得,包括ASML、尼康及佳能的零件。彭博經濟研究指出,這種依賴外國零組件的供應鏈模式無法擴展成為可持續的產業。若中國希望實現真正的技術自主,必須在國內複製所有關鍵子系統和零組件。
報導還透露,為提升功率,中國的原型機體積比ASML系統大出許多倍,顯示中方採用的是遠低於量產所需性能的粗暴方式。專家認為,EUV技術要實現商業可行性,需要約250瓦的潔淨能源才能達到具經濟意義的產出效率。
彭博經濟研究總結,真正的EUV量產不僅需要可靠的設備,還需要完整的工業生態系統,包括可維修的零組件、穩定的供應鏈以及光源、光學元件、光罩和光阻劑等配套技術。中國目前仍處於使用原型機生產工作晶片的初級階段,距離實現完全自主的量產能力仍有相當長的路要走。
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