瞄準台積電？中國已組裝成功EUV　英特爾1.4奈米廠傳有中製設備

中國突破美國主導的先進半導體晶片圍堵政策又有新發展，美媒《路透社》今(18日)報導美國晶片大廠英特爾（Intel）已測試半導體設備商ACM Research的生產設備，而這家公司在上海的子公司曾遭美國制裁；共和黨籍議員譴責英特爾可能危及美國國家安全。 另外《路透社》在今日稍早另一篇報導中，指中國已成功研發出半導體製造關鍵設備「極紫外光機」(EUV)的原型機，此消息已引起西方科技界的高度關注。因為「極紫外光機」(EUV)就是製造5奈米以下先進晶片的重要設備。 《路透社》報導，英特爾此次測試的設備，來自總部位於加州佛利蒙特（Fremont）的晶片製造設備業者ACM Research。這批設備主要用於評估是否可納入英特爾最先進的14A晶片製程。14A晶片在製造上等於是1.4奈米，與台積電目前最新的技術接近。 ACM旗下兩家位於上海及韓國的子公司，去年被美國政府列入禁止接收美國技術的名單，理由是協助中國當局將商用技術用於軍事發展，以及生產先進晶片或晶片製造設備。ACM否認這些指控。 共和黨籍聯邦參議員布萊克本（Marsha Blackburn）在發給《路透社》的聲明說：「英特爾這項作法，等同於讓（中國政府）有機會操控，甚至危害我們最先進的半導體生產能力。英特爾竟然願意拿國家與經濟安全冒險，實屬嚴重失當。」 布萊克本呼籲國會能通過她與其他議員的共同提案，禁止一些獲得政府數十億美元補助的晶片大廠在擴產計畫中，使用中國製的設備。 《路透社》在另一則報導中表示，中國政府近期在深圳一處高度戒備的實驗室內，成功研發出半導體製造關鍵設備「極紫外光機」(EUV)的原型機，此消息已引起西方科技界的高度關注。 《路透社》同時透露，中國能夠達到此項成果，是由多名前荷蘭半導體設備龍頭艾斯摩爾(ASML)的工程師通過逆向工程方式實現的，其中不少是已退休的華裔專業人士。目前該設備已能成功產生極紫外光，但尚未具備量產晶片的能力。 雖然艾斯摩爾執行長富凱(Christophe Fouquet)曾在今年4月表示中國自行發展EUV技術仍需「很多、很多年」，但這項原型機的出現顯示中國在半導體自主化進程的速度已明顯超出多數分析師的預期。不過，相關人士也強調，中國在複製西方供應商生產的高精度光學系統方面仍面臨重大技術瓶頸。 ＊邀請您加入《鉅聞天下新聞網》Line好友，點擊網址https://lin.ee/squRXRO　每天為您推薦有價值的好新聞。