中國成功研發EUV光刻機原型 縮短半導體技術差距

中國政府近期在深圳一處高度戒備的實驗室內，成功研發出半導體製造關鍵設備「極紫外光機」(EUV)的原型機，此消息已引起西方科技界的高度關注。據路透社17日報導，這項成就是由多名前荷蘭半導體設備龍頭艾司摩爾(ASML)的工程師通過逆向工程方式實現的。知情人士透露，這部EUV原型機已於今年完成組裝並開始運轉，機體幾乎佔滿整個機房。參與建造的團隊包括多名曾任職艾司摩爾的工程師，其中不少是已退休的華裔專業人士。目前該設備已能成功產生極紫外光，但尚未具備量產晶片的能力。雖然艾司摩爾執行長富凱(ChristopheFouquet)曾在今年4月表示中國自行發展EUV技術仍需「很多、很多年」，但這項原型機的出現顯示中國在半導體自主化進程的速度已明顯超出多數分析師的預期。不過，相關人士也強調，中國在複製西方供應商生產的高精度光學系統方面仍面臨重大技術瓶頸。據兩名知情者透露，中國之所以能完成原型機，部分原因在於可通過二手市場取得艾司摩爾較舊世代的零組件。中國官方為該計畫設定的目標是在2028年前利用這部EUV原型機製造可用晶片，但專家認為2030年可能更為現實。即便如此，這一時程仍遠早於過去普遍認為中國需要10年才能追趕西方先進晶片製程的判斷。這項被知情人士形容為中國版「曼哈頓計畫」的秘密行動，由習近平親信、中共中央科技委員會主任丁薛祥主導，華為在其中扮演關鍵協調角色。一名知情者直言，中國的終極目標是建立完全國產的先進晶片供應鏈，「中國希望把美國百分之百踢出供應鏈」。目前全球僅有艾司摩爾一家掌握完整EUV技術，一台EUV設備造價約2.5億美元(約新台幣79億元)，是生產最先進晶片不可或缺的關鍵設備。艾司摩爾於2001年打造首台EUV原型機，並耗費近20年、投入數十億歐元研發，才於2019年正式量產商用晶片。美國盟友，包括台灣、南韓與日本，目前均能取得艾司摩爾的EUV系統。