陽明交大團隊揭矽材料紫外光特性 獲國研院研發亮點特優獎

陽明交通大學電子研究所助理教授曾銘綸率領的研究團隊，透過台灣半導體研究中心的「超穎透鏡結構製程平台」，成功證實矽材料在深紫外光(DUV)照射下展現表面極化子效應，此發現為新一代紫外光譜檢測晶片開發提供了理想材料基礎。該團隊憑藉「半導體超穎介面與矽光子、紫外光電及生醫檢測之應用」的研究成果，於國研院舉辦的「研發服務平台亮點成果獎」評選中脫穎而出，獲得特優獎及30萬元獎金。曾銘綸表示，矽作為現代半導體的核心材料，其在深紫外光下展現的特殊性質轉變長期被忽視。研究團隊通過理論分析與實驗量測，證實矽在深紫外光照射下會產生表面極化子效應，顯著增強光與物質間的交互作用。實驗結果顯示，將矽晶片浸泡於生物分子水溶液後，紫外光照射能使生醫分子的自發螢光增強3至4倍；在材料科學應用上，則可使二維材料的雙共振拉曼訊號提升近10倍。研究團隊還開發了深紫外光氮化鋁超穎透鏡，能有效解析細微結構，並與東京大學合作，利用深紫外超快雷射在矽上製造微奈米結構，進一步證實了氮化鋁超穎透鏡在深紫外光電與工業應用的潛力。曾銘綸強調，矽材料具備耐酸鹼、耐高溫特性，加上成熟的製程技術，使其成為開發新一代紫外光譜檢測晶片的理想選擇。本屆研發服務平台亮點成果獎另有四支團隊獲得優等獎，分別是台灣大學周中哲團隊、中央研究院包淳偉團隊、清華大學李昇憲團隊及成功大學張泰榕團隊，他們分別運用國震中心、國網中心及半導體中心的研發服務平台完成研究。