台積電與英特爾在高數值孔徑極紫外光技術採用策略差異

台積電、英特爾與三星在先進製程技術的競爭持續受到業界關注。英特爾計劃於2026年在18A製程中導入高數值孔徑極紫外光(High-NAEUV)技術，而台積電則宣布即使到2028年的A14製程仍不會採用此技術，兩大廠商策略明顯不同，主要原因在於台積電更注重成本效益的考量。英特爾前執行長季辛格曾表示，過去拒絕使用ASML的極紫外光設備是錯誤決策，導致英特爾晶圓代工業務發展受阻。因此，業界密切關注英特爾與台積電在High-NAEUV設備導入方面的進展，將其視為雙方製程技術競爭的重要指標。台積電全球業務資深副總經理暨副共同營運長張曉強在去年技術論壇中表示，雖然他欣賞High-NAEUV設備的性能，但其高昂價格使得成本效益成為關鍵考量因素。相比之下，英特爾據傳已全數預訂ASML當年計劃製造的5台High-NAEUV設備，策略明顯不同。張曉強進一步解釋，台積電在每代製程技術開發中都致力於將光罩數量控制在最低水平，這對成本效益至關重要。若採用High-NAEUV技術，製程成本可能比傳統EUV高出多達2.5倍。半導體業者指出，台積電與三星在採用環繞閘極(GAA)架構的策略上也存在差異。台積電計劃在今年下半年量產的2奈米製程中才改採GAA架構，而三星則在3奈米製程中就已採用。儘管外界原先預期三星憑藉GAA架構的經驗優勢可能在2奈米製程超越台積電，但台積電的3奈米製程穩定度高，成功把握近年AI市場的龐大商機，2奈米製程也進展順利，將如期於今年下半年量產，持續保持領先地位。因此，單憑英特爾搶先使用High-NAEUV技術，尚難以斷定其能否重新奪回半導體製程的領導地位。